Ключевые параметры

Samsung Electronics 10 октября 2026 года сообщила о начале массового производства микросхем GDDR7 со скоростью передачи данных 42 Гбит/с на контакт. Это на 20% выше по сравнению с первой волной GDDR7 (35 Гбит/с), выпущенной в 2025 году.

  • Пропускная способность: до 1,68 ТБ/с на 256-битной шине.
  • Ёмкость: 24 ГБ на модуль, организация 16 Гбит.
  • Техпроцесс: 1b-нм (12 нм) класса DRAM.
  • Энергоэффективность: на 15% лучше предыдущего поколения при той же нагрузке.

Применение

Новая память ориентирована на флагманские видеокарты, ускорители для inference и игровые консоли следующего поколения. Samsung подтвердила, что основные заказчики — производители GPU и облачные провайдеры, названия не раскрываются.

Конкуренция

Основной конкурент — SK hynix, которая в июле 2026 года начала поставки GDDR7 со скоростью 40 Гбит/с. Micron пока отстаёт с показателем 36 Гбит/с, но заявляет о планах догнать рынок к середине 2027 года.

Контекст

Спрос на быструю память растёт на фоне бума генеративного видео и мультимодальных моделей. По оценке TrendForce, рынок GDDR7 вырастет с 4,1 млрд долларов в 2026 году до 12,3 млрд к 2029 году. Samsung рассчитывает занять не менее 40% этого сегмента.